參考消息網(wǎng)9月13日報道 據(jù)德國《商報》網(wǎng)站9月11日報道，英飛凌公司預計其節(jié)能芯片業(yè)務將獲得強勁推動：這家德國上市公司已開發(fā)出一種工藝，能以更低成本生產(chǎn)由創(chuàng)新材料氮化鎵制成的芯片?？偛课挥谀侥岷诘挠w凌公司周三宣布了這一消息。

　　英飛凌是全球首家在現(xiàn)有大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握氮化鎵半導體晶圓技術(shù)的供應商。據(jù)該公司稱，這些晶圓上可容納的半導體數(shù)量是迄今常見晶圓的2.3倍。因此，未來這種元件的價格可能會大幅降低。對客戶來說，用氮化鎵半導體替代迄今占主導地位的硅半導體將更具吸引力。

　　英飛凌希望以此在快速增長的市場中占據(jù)領(lǐng)先地位。約爾情報公司的專家預計，氮化鎵功率半導體業(yè)務將實現(xiàn)近10倍的增長：從去年的2.6億美元增至2029年的25億美元。

　　氮化鎵芯片是半導體行業(yè)發(fā)展的希望之一。由于人工智能的蓬勃發(fā)展，半導體正變得越來越重要。據(jù)奧姆迪亞公司的市場研究人員稱，氮化鎵元件可在網(wǎng)絡(luò)計算機電源內(nèi)更高效地工作，從而減少數(shù)據(jù)中心的能量損耗。這降低了所謂服務器的能源需求。由此帶來的一個重要附加效應就是計算機的冷卻需求減少。

　　但這還不是全部：利用氮化鎵芯片，制造商可以為智能手機或電動汽車提供更緊湊、更高效的電池充電裝置。不過，到目前為止，這些元件的價格要比業(yè)界常見的硅芯片昂貴得多。

　　英飛凌公司首席執(zhí)行官約亨·哈內(nèi)貝克表示，氮化鎵的優(yōu)點在于加工過程與硅非常相似。只有一個步驟存在差別，也是迄今導致較高成本的原因，那就是所謂的外延。就硅芯片而言，即在硅襯底材料上生長晶體。而對于氮化鎵，這是一個“真正的技術(shù)挑戰(zhàn)，而且成本非常高”。

　　英飛凌希望通過新工藝長期確保氮化鎵芯片的價格不會高于硅半導體。據(jù)稱，該技術(shù)已在位于菲拉赫工廠的試產(chǎn)線上得到驗證。目前將根據(jù)需求擴大產(chǎn)能。

　　幾十年來，科學家們一直在研究氮化鎵。長期以來，這種材料主要用于發(fā)光二極管。由于成本較高，它在半導體領(lǐng)域難以超越硅。然而，氮化鎵的優(yōu)勢正日益占據(jù)上風。這種晶體結(jié)構(gòu)材料可傳導比硅高得多的電壓，因此電流通過器件的速度更快，這意味著電器的充電速度也更快。（編譯/焦宇）